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技術文章/ Technical Articles

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  • 2014

    7-16

    富士功率模塊選型簡介一、PIM模塊為了降低變頻駱的成本,并減少變頻器的尺寸。寓士電機和歐派克采用PIM模塊結構。包括三相全波整流和6—7個IGBT。即變頻器的主回路全部安裝在一個模塊上,在小功率變頻器內(11KW以下)均用PIM模塊較為合算。富士電機現正常供貨的是S系列7個單元IGBT。在中國市場上己用了幾年時間。應用技術亦比較成熟。而U系列的PIM模塊供貨現尚在努力之中.現主要推出S系列五種型號——面向小功率變頻器。二、U系列IGBT模塊U系列為富士電機第五代IGBT模塊。...

  • 2013

    10-31

    IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、...

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